下图为MCS-51单片机与24LC02接口电路。
图中A2、A1、A0为从器件的地址选择信号，WP=1禁止写入，WP=0允许写入。由于SCL与SDA为漏极开路，所以要接R1、R2上拉电阻及外电源。
1．单字节及页写入操作
往E2PROM片内的单个单元进行数据写入的操作称为单字节写操作。其操作格式如下表所示
表格符号含义如下。
S指开始条件：当SCL．保持为1时，SDA由1变为O；其时序如下左图所示。
P停止条件：当SCt一保持为1时，SDA由O变为1；其时序如下右图所示。
ACK0为从器件的应答信号：在12C总线数据传送中，当从器件(E2PROM)收到主器件传递来的一个字节后，从器件必须向SDA线上返送一个应答信号(ACK0)给主器件，即于第9个时钟周期SCI．一到来之前将SDA置低电平以确认它成功地接收到该字节，此时如果SDA=1，则表示接收失败。
如果接收失败必须重新握手。
下表中的字节地址是指从器件的地址，下表中的数据是指待写入的数据。
设单片机的晶振为6MHz，则T机=2us，定义P1.7BlTSDA，P1.6BlTSCI．现分别给出S、P、ACK0及往E2PROM写一字节子程序。
；开始条件子程序
START：CLRSDA
SETBSCL
SETBSDA
NOP
NOP
NOP
CLRSDA
NOP
NOP
CLRSCL
REP
；停止条件子程序
；应答信号子程序，出口：FO=1应答失败，FO=O应答成功
：往E2PROM写一宇节子程序，入口：A的内容为待发数据；注意：数据高位先送。
例：如何将立即数53H写到24LC02的7AH单元。其程序片断如下：
对E2PROM的数据写入也可以实现页写入。对E2PROM片内连续装载8个字节数据的写入操作，每收到一个数据以后，数据字地址的低3位自动加1。而高位是不改变的，以保持存储器页位置不变。
如果多于8个数据被送到E2PROM，则数据地址重复滚动，以前输入的数据将被覆盖。其操作格式如下表所示。
2．单字节及页读出操作
从E2PROM片内的单个单元进行数据读出的操作称为单字节读操作。其操作格式如下表所示。
页读出操作格式如下表所示。
单字节及页读出操作与单字节及页写入操作雷同。
应答信号(ACKl)：当主器件(如单片机)读E2ROM片内数据时，应答信号由主器件产生，当SDA=0，表示ACKl；当SDA=1，表示/ACKl。即在主器件(如单片机)读E2PROM片内数据时。也要根据要求给从器件ACKl或/ACKl信号。其时序如下左图，下右图所示。几个子程序如下。
；单片机应答信号(ACKl)
：单片机非应答信号(/ACK/)(SDA=1)
：从E2PROM中读一字节，出口：A的内容为接收数据
RBYTE：SETBSDA；SDA作为输入口
NOP
NOP
MOVR7，#08H
RBYTEl：CLRSCL．
N0p
NOP
SETBSCL
NOP
NOP
MOVC，SDA
RLcA；注意，先读高位
DJNZR7．RBYTEI
CLRSCL
RET
例：如何将24LC02的5CH单元内容读到单片机内部了RAM的33H单元。其程序片断如下：
LOOP：ACALLSTART
MOVA．#0AOH
ACALLWBYTE
ACALLCHACK
JBF0，LOOP；成功接收?
MOVA，#5CH；待访问的单元
ACALLWBYTE
ACALLCHACK
JBFo，LOOP；成功接收?
ACALLSTART
MOVA．#0AtH
ACALI．WBYTE
ACALLCHACK
JBF0．L00P；成功接收?
ACALLRBYTE
MOV33H，A
ACALL．MNACK
ACALLSTOP
三、结论
由于l℃总线的时序较为复杂且容易出错，所以笔者对其协议作了较为深入的分析，同时也对各个子程序作了调试并在实践中成功应用。希望上述协议及时序的解析能为初学者在工程实践中提供借鉴作用。
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