大功率MOSFET的栅极阀值电压测量电路

　　为了增加电路的输出电流，往往采取将多个大功率MOSFET作并联的方法。但是，大功率MOSFET的ID-VGS特性存在个体差异。用多个不同大功率MOSFET作并联时，各管中流过的漏极电流是不相同的。其最终结果是器件的发热量有大有小，电路的可靠性下降，甚至会将大功率MOSFET烧毁。

　　上图是测量N沟道大功率MOS-FET的栅极阀值电压的电路。下图是测量P沟道大功率MOSFET栅极阀值电压的电路。用这两个电路可以选配到栅极阀值电压相同的FET。这两个电路在正常工作时运算放大器ICla的反相输入端经l00kΩ(R2)电阻与被测FET的源极连接，所以同相输入端的电位与被测EFT的源极电位是相同的。例如，在测量漏极电流ID=l00mA时的YGS时，把Rs取为50Ω，让被测FET的源极电位为5V(或-5V)。在接通电源之后漏极电流ID=l00mA，用数字万用表测量FET栅极与源极间的电压就可以测得此时的VGS。

　　在被测FET发热较严重的场合，由于温度的变化会引起特性的变化，所以必须等到管壳的温度稳定下来之后再进行测量。如果想减少FET的发热量，可以设法降低FET的VDS(=VDD-VRS或Vss-VRS)。另外，如果被测FET在测量时设定的捅极电流ID很小的话，运算放大器IC1应选用NJM072那样的FET输入型运算放大器。

　　上图、下图的电路还可以测试大功率晶体三极管。在测试大功率晶体三极管时，应根据基极电流的大小适当减小R1电阻的阻值。

　　上图电路的电源电压为+15V，下图电路的电源电压为-15V。消耗的电流视FET的漏极电流ID而定。电路中运算放大器选用新日本无限公司的NJM4580或者NJM072B。   

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