大小和方向都随周期发生变化的电流叫振荡电l流，能产生振荡电流的电路就叫做振荡电路。其中最l简单的振荡电路叫LC回路。LC振荡电路，是指用电l感L、电容c组成的选频网络，用于产生高频正弦波l信号。常见的LC正弦波振荡电路，有变压器反馈式lLC振荡电路、电感三点式LC振荡电路和电容三点I式LC振荡电路。
JFET是一种单极的三层晶体管，它是一种控制极由PN组成的场效应晶体管，工作时依赖于唯一种载流子——电子或空穴的运动。对于一个“正常接通”器件，每当N沟道JFET的漏极电压相对于源极为正时，或是当P沟道JFET的漏极电压相对于源极为负时，都有电流在沟道中流过。在JFET沟道中的电流，受栅极电压的控制。
用JFET可以设计出无源元件很少的简单高频LC振荡器，对于JFET，要实现放大器级的结构，可用共漏方式连接的JFET晶体管，如下图所示。
当JFET工作在饱和区时，漏极电流ID为：
式中，IDSS为最大饱和电流，vP为夹断电压。可利用一个无限大的输入阻抗和一个受栅一源电压控制的电流源，构建在小信号状态下，工作在饱和区的JFET的模型。下列公式确定JFET的小信号跨导：9m_
栅极电阻RG，提供栅极到地的必要连接，RG的典型值在几兆欧姆范围内，以提供放大器结构所需的高阻抗。电阻RS可使晶体管偏置，其阻值由下述
要完成振荡，要在放大级增加一个LC谐振回路，如下图所示，这是一种考毕兹振荡器。由于LC谐振回路的电感，栅极与地之间存在直流连接，消除了放大器的栅极电阻。该电路的振荡频率fo为：fo=
电路起振所需电容器条件为
还可以设计一个用JFET晶体管的哈特利振荡器．如下图所示。上述两种振荡器都使用2N3819( -种N沟道器件)代替JFET。该晶体管的PSpICe参数是：Inss为12mA，VP为-3V。仿真表明，放大器电路的电压增益为0.3064V，而且在C1值为50nF、C2值为114nF时，AV =0.3064>
本文关键字：暂无联系方式振荡器-波形-信号电路，单元电路 - 振荡器-波形-信号电路
