通过仿真，可以看出，MOSFET管导通时间为80ms左右。
(4)设定功率线输入正端电压U1=28V，未采用浪涌旁路保护电路时，流过继电器触点K1的电流波形见图4。
实际测试结果如下：
(1)脉冲驱动信号高电平为28V，持续时间为80ms；
(2)流过继电器触点K1的额定电流值为10A，浪涌电流值最大为49．4A，幅值已超过了继电器触点的额定电流值，持续时间为4．8ms。
采用浪涌旁路保护电路后，流过继电器触点K1的电流波形见图5。
实际测试结果如下：
(1)脉冲驱动信号高电平为28V，持续时间为80ms；
(2)脉冲信号高电平建立6．4ms后继电器触点接通，流过继电器触点K1的电流值为3．6A，80ms驱动信号为低电平，Q1截止，电流全部流过继电器触点，电流值为10A。
根据以上测试结果，浪涌旁路保护电路满足设计要求，在功率线输入正端电压U1接通瞬间，由于电容器产生的浪涌电流被浪涌旁路保护电路旁路(浪涌电流持续时间为4．8ms)，在继电器触点接通(脉冲信号高电平建立后6．4ms)前，回路中电流值已恢复到额定电流值，能够确保继电器触点安全。
6 结束语
通过分析及对比实验，浪涌旁路保护电路能够确保规避继电器触点受到浪涌电流的冲击，满足继电器用于航天产品中高可靠性的要求，是一种提高继电器触点抗浪涌能力的一种新颖保护电路，该电路已应用于某卫星型号地面设备，取得了良好效果。
