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基于不同VTH值的新型CMOS电压基准

基于不同VTH值的新型CMOS电压基准

点击数:7669 次   录入时间:03-04 11:33:32   整理:http://www.55dianzi.com   稳压-电源电路

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    与国际上已有的和CMOS兼容的电压基准电路的主要指标进行比较,结果如表2所示。可以看出,本文设计的CMOS基准的温度漂移率TFC远远小于国际上已有的和CMOS兼容的电压基准电路。

5 结语
    本文所设计的基于CMOS工艺的基准电路结构较简单,既没有放大器,也没有BJT,适合于标准CMOS工艺生产。通过HSpice验证,其输出基准电压为1.22 V,在-40~+85℃内温度系数仅为30 ppm/℃。当电源电压为2.6~5.5 V时,电源电压调整率为1.996 mV/V,且温度漂移率TFC远远小于国际上已有的和CMOS兼容的电压基准电路,比较适合于标准CMOS工艺。



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