连续漏极电流ID是指在MOSFET的沟道内（漏源间）连续流过的直流电流。Imax与体二极管中连续流过的正向连续源极电流Ismax是相同的值。
漏极电流I。的最大值可以用下式表示。
式中RD(on)是导通电阻，是指在额定结晶Timax时管子流过某个漏极电流ID时的电阻值。Rθjc是结与栅极间的热电阻．Te是此时的管壳温度。由上式可知，如果能降低Te或减小RDs(on),，就可以让管子流过更大的漏极电流。换句话说，通过改善散热条件可以防止MOSFET因电流过大造成的损坏。
栅极驱动正常仍出现管子损坏的情况可以认为是因漏极电流I。
和导通电阻RDS(on)引起的发热而造成的。
脉冲漏极电流IDM是指在短时间内流过漏极的电流。通常IDMmax大约是Tc=25℃时连续漏极电流Imax的4倍。IDMAx的值与体二极管的脉冲源极电流ISMmax的值相等。
2.二极管电流Is、ISM
连续源极电流Is是指在体二极管中连续流过的直流电流。ISmax的值与MOSFET沟道中连续流过的漏极电流IDmax的值相同。
脉冲源极电流ISM是指在体二极管中连续流过的脉冲电流。对于单个的二极管来说，ISMmax大约是连续电流的10倍。对于工作于开关状态的体二极管来说则大约是连续电流的4倍。因为开关损失会引起营子发热。ISmax的值与脉冲漏极电流Imax的值相同。
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