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应用于IGBT与功率MOSFET的栅驱动器通用芯片

应用于IGBT与功率MOSFET的栅驱动器通用芯片

点击数:7755 次   录入时间:03-04 11:37:43   整理:http://www.55dianzi.com   综合-其它

    由于任何故障状况都将在1微秒内传递到初级端,异步故障传递方式可以使并联igbt与多电平变换器拓扑结构的专用时钟需求得以实现。为了将这种情况的时间偏差减到最小,电路要通过补偿消除温度和工艺误差的影响。首选的故障管理模式是在相关的igbt关断之前报告错误信息。关断之前的延迟时间是可以在igdasic中调整的,在几微秒范围内,也可以设置为0或无限大。

    直接模式并没有在驱动器的通路间提供任何组合逻辑或时序逻辑的相互作用。

    这种模式给用户提供了最大的灵活性,因此成为高级微控制器协作系统的首选。在第二种模式,也就是半桥模式中,asic使用一个输入端作为公有的指令信号,用两个具有死区时间的输出端(一个正向和一个反向)去避免各个igbt之间的桥臂贯通现象。这种模式和死区时间可以根据特殊应用的需要而调整,调整时通过两个或典型的六个通道为一组中的一个通道内的单个电阻来实现。第三种的预置模式可以实现互锁或者互斥功能(带有或不带有死区时间),用户的需求可以通过修改单层掩膜版来实现。

    在初级端,任何故障状况都会通过闭锁时间延长几毫秒。在这段时间内,相关的通道都会保持在关闭状态下。这段时间的长度可以通过两个或典型的六个通道为一组中的一个通道内的单个电阻来调整或者设置为0。

    4 应用

    scale-2型芯片组作为核心平台应用于新一代的igbt栅驱动器。相比于以前的芯片组,一个完整的即插即用igbt驱动器的所有组成部分的成本可以减少60%以上[3]。

    图5 带有外置n型dmos驱动器级的双通道igbt驱动器核心,栅级性能为20a/4w(左图),栅极性能为5.5a/0.8w的完全集成版(右图)。

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      图5 带有外置n型dmos驱动器级的双通道igbt驱动器核心,栅级性能为:20 a /4 w,栅极性能为5.5 a / 0.8w的完全集成版。图5(左)所示为一个双通道栅驱动器核心,它的驱动能力为20 a, 4 w, +15 v /-10v,栅驱动器和dc-dc变换器输出级使用的都是外置n型dmos:它具有双向信号变压器接口,提供可调整的操作模式、死区时间、闭锁时间、先进的有源箝位功能和一个次级故障输入端。典型的延迟时间为110ns。代表性的应用包括对于1700 v / 200 a,开关频率达到75 khz的igbt进行半桥式控制。

    图5(右)所示为一个相似的双通道栅驱动器核心,它的驱动能力为5.5 a, 0.8 w, +15 v/-10v,栅驱动器和dc-dc变换器输出级都是完全集成的。典型的延迟时间为88ns。体积小,更容易扩展到7通道以及其低廉的成本使得它成为驱动1700 v/225a igbt的最佳选择。代表性的应用包括对于1700v / 100 a,开关频率达到25 khz,或者是600 v / 50 a,开关频率达到75 khz的igbt进行半桥式控制。

    5 前景

    在过去的10年里,scale技术已经在市场上被确立为工业界的标准,concept公司拥有的scale-2芯片组将得到更加长远的发展。这个芯片组作为实现新一代igbt栅驱动器的核心平台,在可靠性、功能性、可扩展性、成本以及投入到市场的时间方面都有所提高。这些提高要归功于使用被大规模应用的scale型驱动器,它经过了广泛的试用与测试。



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