此外，FRAM 的高效率还可影响到标准工作期间的电源与存储器使用效率。闪存和 EEPROM 必须在某一时刻为存储器擦除一个数据块并对其进行编程。因此，要改变单比特系统标识，就必须从闪存读取 256 字节的整个块，擦除该块并重新为其写回数据。利用 FRAM，开发人员可对全部存储器进行比特级访问。
最后，由于 EEPROM 与闪存的读取、擦除和写入序列，开发人员必须使用冗余存储器块对数据进行镜像，以确保潜在电源损耗过程中的数据完整性。可通过使用片上电容器，用 FRAM 提供写入操作担保，来确保有足够的电源完成当前写入工作。由于 FRAM 写入的极快速度与更低电流，电容器可以非常小，小得无需镜像便可集成在 MCU 上。
图 5：TI MSP430FR59xx MCU 中的 FRAM 为无线固件升级提供电源管理优势
FRAM 更高的电源效率可用于支持更长的电池使用寿命。或者与 EEPROM 或闪存的使用相比，这些设备能够以更低的功耗存储更多的数据，因此开发人员可选择采用较大数据缓冲或事件日志。这可帮助设备在更低频率下进行检查，从而减少无线电或其它大功耗通信通道必须使用的频次。
结论
鉴于设备互联趋势的不断发展，在 MCU 中集成安全性正在成为一种常见需求。OEM 厂商可通过对器件预期工作范围以外的恶意行为进行阻止、检查并采取相应措施，防止数据暴露，避免应用代码被覆盖，为敏感数据的交换提供安全的通信通道等措施，来保护客户信息以及其自己的知识产权。
FRAM MCU 的高效率架构集成的硬件可在既不影响数据完整性或可靠性，又可降低功耗的情况下降低软件复杂性，简化安全系统设计。这样，我们就可在低成本下将低功耗应用的安全性提升到全新的高度。
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