除此之外，对MOSFET的1／f噪声的相关性研究表明，1／f噪声是表征MOSFET可靠性的一种有效方法，MOSFET电性能的变化程度可以反映在1/f噪声的变化上。本次实验中，对普军级样品内部的VDMOS辐照前后的低频噪声进行了测量，所得的B值如表1所示。
由表1可以看出，辐照前后，样品内部VDMOS的1／f噪声拟合B值均有l~2个数量级的增大，这一变化规律与样品整体1／f噪声的变化规律是一致的。
本文通过上述分析可以看到，DC／DC转换器在辐照前后电参数的变化可以归结为由内部器件所影响的开关占空比的变化，进而归结为其中的内部器件如VDMOS。这样DC／DC转换器辐照无论是电参数还是1／f噪声变化就归因于同一原因，这些来源具有一致性。
由于影响DC／DC转换器性能的内部器件如VDMOS、PWM、肖特基二极管、光耦等多种器件，因此要获得DC／DC转换器整体与局部噪声之间的具体关系，定量分析出内部器件的l/f噪声变化对整体1／f噪声变化的影响，还需要对DC／DC转换器内部1／f噪声做更多的研究、探索与分析，需要大量的实验数据进行验证。
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