新型高耐压功率场效应晶体管

5   COOLMOS与IGBT的比较

    耐压600V、800V的COOLMOS的高温导通压降分别约6、7.5V，关断损耗降低1/2，总损耗降低1/2以上，使总损耗为常规MOSFET的40％～50％。常规耐压600V的MOSFET的导通损耗占总损耗约75％，对应相同总损耗超高速IGBT的平衡点达160kHz，其中开关损耗占约75％。由于COOLMOS的总损耗降到常规MOSFET的40％～50％，对应的IGBT损耗平衡频率将由160kHz降到约40kHz，增加了MOSFET在高压中的应用。

6   结论

    新型高压MOSFET的问世使长期困扰高压MOSFET的导通压降高的问题得到了解决。应用它可简化整机设计：如散热器体积可减少到常规的40％左右；驱动电路，缓冲电路亦可简化；由于它具备抗雪崩击穿能力和抗短路能力，从而简化了保护电路并使整机可靠性得以提高。

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