MOSFET的延迟时间TD1有效地增加了BOOST升压电感的充电时间。在通常的工作条件下，MOSFET的电压应力是IGBT的一半。而在升压变换和短路条件下（例如变换器工作在反激式状态时），就会看到QA的电压应力高出许多。
在该电路拓扑中，变压器的设计是很关键的。推挽式变压器应使原边绕组与副边绕组之间漏感最小。同样也应使两个原边绕组之间的漏感最小。实际上，如果不采用复杂精细的结构（例如隔层用铜箔屏蔽等），要实现两项指标是困难的。在多数情况下，使用平面型变压器有利于达到这些目标。较高的漏电感效应包含了更高的电压应力和振铃，以及更大的功率损耗，它还会损失更多的可用占空比。高电压电平会难以设计有效的缓冲电路来减小漏感振铃。
升压电感器的设计与常规升压变换器很相似。然而正如典型应用电路图所示，经一只二极管接到输出端的附加绕组，需要在升压电感器上制作。该绕组具有与变压器相同的匝数比，当两只推挽管同时截止时，该绕组为电感器能量提供一个放电路径。在起动期间当输出电压为零时，变换器可产生很高的浪涌电流。当超过设定的门限电平时，则UCC3857的过流保护电路将关闭所有的输出端。
在实际例子中，升压电感器的辅助绕组把能量引至输出端。这是一种优先选择的方法，因为在输出电压升高时，会使主开关管不能应付浪涌电流的高电压。而当辅助绕组把能量传递到输出端时，QA两端的电压应力变为输入电压加上反射输出电压，该值高于它的反射输出电压的稳态值。
（1）芯片的偏置电源和起动
UCC3857采用美国Unitrode公司的双极混合工艺BCDMOS制造，它使电源电流具有最小的起动值（典型值60A）和工作电流（典型值3.5mA）。其重要意义是功耗更低，用于IC起动的充电电阻器明显变小。
（2）振荡器的调节
振荡器（英文：oscillator）是用来产生重复电子讯号（通常是正弦波或方波）的电子元件。其构成的电路叫振荡电路。能将直流电转换为具有一定频率交流电信号输出的电子电路或装置。种类很多，按振荡激励方式可分为自激振荡器、他激振荡器；按电路结构可分为阻容振荡器、电感电容振荡器、晶体振荡器、音叉振荡器等；按输出波形可分为正弦波、方波、锯齿波等振荡器。广泛用于电子工业、医疗、科学研究等方面。由于器件不可能参数完全一致，因此在上电的瞬间两个三极管的状态就发生了变化，这个变化由于正反馈的作用越来越强烈，导致到达一个暂稳态。暂稳态期间另一个三极管经电容逐步充电后导通或者截止，状态发生翻转，到达另一个暂稳态。这样周而复始形成振荡。
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