低压电器选用原则及要求

(4) 电容补偿柜主回路的保护,如选用gG型熔断器,熔断体的额定电流In约等于线路计算电流1.8~2.5倍;如选用aM 型熔断器,熔断体的额定电流In 约等于线路电流的1~2.5倍.
(5) 线路上下级间的选择性保护,上级熔断器与下级熔断器的额定电流In的比等于或大于1.6,就能满足防止发生越级动作而扩大故障停电范围的需要.
(6) 保护半导体器件用熔断器,熔断器与半导体器件串联,而熔断器熔体的额定电流用有效值表示,半导体器件的额定电流用正向平均电流表示,因此,应按下式计算熔体的额定电流:
IRN≥1.57 IRN ≈1.6 IRN 式中 IRN 表示半导体器件的正向平均电流.
(7) 降容使用
在20℃环境温度下,我们推荐熔断体的实际工作电流不应超过额定电流值.选用熔断体时应考虑到环境及工作条件,如封闭程度 空气流动 连接电缆尺寸(长度及截面) 瞬时峰值等方面的变化;熔断体的电流承载能力试验是在20℃环境温度下进行的,实际使用时受环境温度变化的影响.环境温度越高,熔断体的工作温度就越高,其寿命也就越短.相反,在较低的温度下运行将延长熔断体的寿命.
(8) 在配电线路中,一般要求前一级熔体比后一级熔体的额定电流大2~3倍,以防止发生越级动作而扩大故障停电范围.
2．熔断器的选择
(1)UN熔断器≥UN线路.
(2)I N熔断器≥IN 线路.
(3)熔断器的最大分断能力应大于被保护线路上的最大短路电流.

十二．无功补偿电容器的选择
补偿后
补偿前COSφ1 补偿到COSφ2时,每千瓦负荷所需电容器的千乏数
0.80 0.84 0.88 0.90 0.92 0.94 0.96 1.00
COSφ1=0.30 2.42 2.52 2.65 2.70 2.76 2.82 2.89 3.18
COSφ1=0.40 1.54 1.65 1.76 1.81 1.87 1.93 2.00 2.29
COSφ1=0.50 0.98 1.09 1.20 1.25 1.31 1.37 1.44 1.73
COSφ1=0.54 0.81 0.92 1.02 1.08 1.14 1.20 1.27 1.56
COSφ1=0.60 0.58 0.69 0.80 0.85 0.91 0.97 1.04 1.33
COSφ1=0.64 0.45 0.56 0.67 0.72 0.78 0.84 0.91 1.20
COSφ1=0.70 0.27 0.38 0.49 0.54 0.60 0.66 0.73 1.02
COSφ1=0.74 0.16 0.26 0.37 0.43 0.48 0.55 0.62 0.91
COSφ1=0.76 0.11 0.21 0.32 0.37 0.43 0.50 0.56 0.86
COSφ1=0.80 ---- 0.10 0.21 0.27 0.33 0.39 0.46 0.75
COSφ1=0.86 ---- ---- 0.06 0.11 0.17 0.23 0.30 0.59

十三．变频器(NIO1)的选择
1． 恒转矩和风机水泵类选型区别:

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