可编程逻辑器件的存储单元

　　只读存储器ROM存人数据的过程称为“编程”。根据编程方式的不同，可分为内容固定的ROM，一次性编程的PROM、可多次编程的EPROM和电改写的EEPROM。早期制造的PROM可编程逻辑器件的存储单元是利用其内部熔丝是否被烧断来写入数据的，因此只能写入一次，使其应用受到很大限制。目前使用的PROM可多次写入，其存储单元是在MOS管中置人浮置栅的方法实现的。
　　
　　浮置栅型PMOS管的结构原理图如图所示，浮置栅被包围在绝缘的二氧化硅之中。

　　
　　写入时，在漏极和衬底之间加足够高的反向脉冲电压把PN结击穿，雪崩击穿产生的高能电子穿透二氧化硅绝缘层进入浮置栅中。
　　
　　脉冲电压消失后，浮置栅中的电子无故电回路而被保留下来。
　　
　　浮置栅PMOS写入数据后，带电荷的浮置栅使PMOS管的源极和漏极之间导通，当字线选中某一存储单元时，该单元位线即为低电平，如图所示；若浮置栅中无电荷（未写入），浮置栅PMOS管截止，位线为高电平。当用户需要改写存储单元中的内容时，要用紫外线或X射线照射擦除，使浮置栅上注入的电荷形成光电流泄漏掉，EPROM可恢复原来未写入时的状态，因此又可重新写入新信息。

　　
　　利用光照抹掉写入内容需要大约30min的时间。为了缩短抹去时间，人们研制出了电擦除方式。电擦除的速度一般为ms数量级，其擦除的过程就是改写的过程，改写是以字为单位进行的。电擦除的E2PROM既可以在掉电时不丢失数据，又可以随时改写写入的数据，重复擦除和改写的次数可达1万次以上。

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