此外，根据错误的关键范围（CD）造成的大量诊断预报与热点关联的位置，还可以自动产生CD-SEM处方。有了这个处方再加上历史数据，可以实现及早预防。
结束语
随着EDA工具的进化，诊断仿真被不断改进，从而能够比五年前更快地侦测纳米设备中复杂的瑕疵位置。加上批量良品率诊断，这种方法学变得更为实用，通过从多个wafer和wafer lots中收集测试结果，找出系统性瑕疵的常见原因。
为了解决不可见瑕疵与细微的设备与金属变化这个越来越大的问题，诊断预报可以与热点和设计信息相关联，有助于更为一目了然地指引PFA流程，并限制需要在PFA中探索的面积——只要检查与热点高度关联的线网片段即可。
最后，诊断预报与热点的相关因素也可以使用于诊断预报计算器，以提高诊断工具计分的精确性。配合诊断与DFM能够找到系统性良品率损失最细微原因的所在位置。
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