IGBT模块在正弦波VVVF变频器应用时发生损耗的计算方法

　　通过VVVF变频器等进行PWM控制时，如左图所示，由于电流值与动作状态始终在变化，因此发生损耗的详细计算需要运用计算机模拟技术等。但是，由于其计算方法过于复杂，在此介绍一下运用近似式进行简略计算的方法。
　　1)前提条件
　　在进行计算时，以下列内容为前提条件。
　　·应为正弦波电流输出三相PWM控制VVVF变频器
　　·为通过正弦波、三角波比较的PWM控制
　　·输出电流为理想的正弦波
　　2)稳态损耗（Psat、PF）的计算方法
　　IGBT和FWD的输出特性如右图所示，从说明书的数据可以得出近似值。

      因此，稳态损耗为：

      在此，DT、DF：在输出电流半波上的IGBT及FWD的平均导通率在输出电流半波上的IGBT及FWD的平均导通率为如下图所示的特性。

　　3) 交换损耗
　　交换损耗-IC 特性，如右图所示，一般以下式作近似计算。

　　a、b、c：乘数
　　Eon′、Eoff′、Err′：额定IC 时的Eon、Eoff、Err 值。
　　因此，交换损耗如下表示：
　　·开通损失（Pon）

　　4) 全发生损耗（总发生损耗）
　　根据 2）和3）项的计算结果，
　　IGBT 部发生损耗为：PTr = Psat + Pon + Poff，
　　FWD 部发生损耗为：PFWD = PF + Prr
　　实际上，直流电源电压与门极电阻等与说明书记载的内容可能有差异，与 1.2 项采用同样的思路，可作简略计算。

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