将DPm=0.26mm、IRMS=0.32A代入式（14），得到J=6.06A/mm2。电子数据表格中实取6.17A/mm2。
若J>10A/mm2，应选较粗的导线和较大的磁芯骨架，使J<10A/mm2。若J<4A/mm2，应选较细的导线和较小的磁芯骨架，使J>4A/mm2；亦可适当增加NP的匝数。
[步骤20]计算磁芯中的最大磁通密度BM
BM=（15）
将IP=0.74A，LP=623μH，NP=54匝，磁芯有效横截面积SJ=0.41cm2代入式（15），计算出BM=0.2082T。电子数据表中实取0.2085T。
需要指出，若BM>0.3T，则需增加磁芯的横截面积或增加初级匝数，使BM在0.2～0.3T范围之内。如BM<0.2T，就应选择较小的磁芯或减小NP值。
[步骤21]计算磁芯的气隙宽度δ
δ=40πSJ（16）
式中δ的单位是mm。将SJ=0.41cm2，NP=54匝，LP=623μH，磁芯不留间隙时的等效电感AL=2.4μH／匝2代入式（16），计算出δ=0.22mm。气隙δ应加在磁芯的磁路中心处，要求δ≥0.051mm。若δ小于此值，需增大磁芯尺寸或者增加NP值。
[步骤22]计算留有气隙时磁芯的等效电感ALG
ALG=（17）
将LP=623μH，NP=54匝，代入式（17），得到ALG=0.214μH／匝2。电子数据表中实取0.215μH／匝2。
需要说明两点：
（1）ALG值必须在选好NP值以后才能确定。
（2）如上所述，高频变压器的设计是一个多次迭
代的过程。例如当NP改变后，NS和NF的值也一定会按一定的比例变化。此外，在改变磁芯尺寸时，需对J、BM、δ等参数重新计算，以确信它们仍在给定的范围之内。这表明若计算结果与电子数据表格中的数值略有差异，也属正常现象，因二者迭代过程未必完全一致。
[步骤23]确定次级参数ISP、ISRMS、IRI、DSM
（1）计算次级峰值电流ISP
次级峰值电流取决于初级峰值电流以及初、次级匝数比，有公式
ISP=IP×（18）
将IP=0.74A，NP=54匝，NS=5匝代入式（18），得到ISP=7.99A。
（2）计算次级有效值电流ISRMS
次级纹波电流与峰值电流的比例系数KRP与初级完全相同，区别仅是对次级而言，KRP反应的是次级电流在占空比为（1－DMAx）时的比例系数。因此，计算次级有效值电流ISRMS时，须用下面公式：
ISRMS=ISP（19）
表6选择钳位二极管和阻塞二极管
U（V）钳位电压UB（V）钳位二极管阻塞二极管 固定输入：100/11590P6KE91(91V/5W)BYV26B(400V/1A) 通用输入：85～265200P6KE200(200V/5W)BYV26C(600V/1A) 固定输入：230±15％200P6KE200BYV26C将ISP=7.99A，Dmax=51％，KRP=0.92代入式（19），求得ISRMS=3.35A。电子表格中的计算结果为3.36A。
（3）计算输出滤波电容上的纹波电流IRI
IRI=（20）
将ISRMS=3.36A，IO=2A代入式（20），求得IRI=2.70A。
最后计算次级裸导线直径，有公式
DSm=·=1.13（21）
将ISRMS=3.36A，J=5.18A／mm2代入式（21），求得DSm=0.91mm。实选0.900mm的公制线规。需要指出，当DSm>0.4mm时，应采用0.4mm的两股导线双线并绕NS匝。与单股粗导线绕制方法相比，双线并绕能增大初级绕组的等效横截面积，改善磁场耦合程度，减小磁场泄漏及漏感。此外，用双线并绕方式还能减小次级导线的电阻值，降低功率损耗。
若选用三重绝缘线来绕制初级绕组，则导线外径（单位是mm）的计算公式为：
DSM=（22）
将b=8.43mm，M=0，NS=5匝代入式（22），求得DSM=1.69mm。可选导线直径DSm≥0.91mm而绝缘层外径DSM≤1.69mm的三重绝缘线。
[步骤24]确定次级整流管、反馈电路整流管的最高反向峰值电压：U（BR）S、U（BR）FB
有公式：
U（BR）S=UO＋UImax·（23）
U（BR）FB=UFB＋UImax·（24）
将UO=7.5V，UFB=10.4V，UImax=375V，NS=5匝，NP=54匝，NF=7匝，分别代入以上两式，求得U(BR)S=42.2V，U（BR)FB=59V。这与电子表格中给出的结果完全相同。
[步骤25]选择钳位二极管和阻塞二极管
见表6。对于低功率的TOP200、TOP201、TOP210型单片开关电源，可选UB=180V的瞬变电压抑制器。
[步骤26]选择输出整流管
输出整流管宜采用肖特基二极管，此类管子的压降低、损耗小，能提高电源效率。典型产品有MOTOROLA公司生产的MBR系列。要求管子的最高反向工作电压URM≥2U（BR）S，〔U（BR）S为整流管实际承受的最大反向峰值电压〕；其标称电流IF1≥3IO(IO为最大连续输出电流)。
肖特基二极管的最高反向工作电压一般不超过100V，仅适合做低压、大电流整流用。当UO≥30V时，需用耐压100V以上的超快恢复二极管来代替肖特基二极管，此时电源效率会略有下降。
[步骤27]利用步骤23得到的IRI，选择输出滤波电容COUT
（1）滤波电容在105℃、100kHz时的纹波电流应≥IRI。
（2）要选择等效串联电阻很低的电解电容器。等效串联电阻的英文缩写为ESR，符号为r0。它表示在电容器的等效电路中，与之相串联的代表电容器损耗的等效电阻，简称串联损耗电阻。输出的纹波电压URI由下式决定：
URI=ISP·r0（25）
式中的ISP由步骤23得到。
（3）为减小大电流输出时的纹波电流IRI，可将几只滤波电容并联使用，以降低电容总的r0值和等效电感L0。
（4）COUT的容量与最大输出电流IOM有关。例如，当UO=5～24V、IOM=1A时，COUT取330μF/35V；IOM=2A时COUT应取1000μF/35V。
[步骤28～29]当输出端的纹波电压超过规定值时，应再增加一级LC滤波器
（1）滤波电感L=2.2μH～4.7μH。当IOM小于
1A时可采用由非晶合金磁性材料制成的磁珠；大电流时须选用磁环绕制而成的扼流圈。
（2）为减小L上的压降，宜选较大些的滤波电感或增大线径。通常可取L=3.3μH。
（3）滤波电容C取120μF/35V，要求其r0很小。
[步骤30]选择反馈电路中的整流管
见表7。表中的URM为整流管最高反向工作电压，U（BR）FB是由步骤24得到的，要求：
URM≥1.25U（BR）FB（26）
[步骤31]选择反馈滤波电容
应取0.1μF/50V的陶瓷电容器。
表7选择反馈电路中的整流管
整流管类型整流管型号最高反向工作电压URM（V）生产厂家 玻封高速开关硅二极管IN414875国产 超快恢复二极管BAV21200Philips公司 UF4003200GI公司[步骤32]选择控制端电容及串联电阻
控制端电容一般取47μF/10V，普通电解电容即可。与之相串联的电阻可选6.2Ω/0.25W。在不连续模式下可去掉此电阻。
[步骤33]按从表2中选定的那种反馈电路，选取元器件值。
[步骤34]选择输入整流桥
（1）整流桥的反向击穿电压UBR应满足下式要
求：
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