六. IGBT的驱动与隔离问题
可控半导体器件都存在控制部分，晶闸管和晶体管也不例外。为了提高可靠性，要求驱动或触发部分必须和主电路严格隔离，两者不能有电的联系。
与晶闸管的脉冲沿触发特性不同（沿驱动），IGBT等晶体管的导通要求栅极具有持续的电流或电压（电平驱动），这样，晶体管就不能象晶闸管那样，通过采用脉冲变压器实现隔离，驱动电路必须是有源的，电路较为复杂，而且包含驱动电源在内，要和主电路有高耐压的隔离。实践证明，晶体管的驱动隔离是导致系统可靠性降低不可忽略的因素，据不完全统计，由于驱动隔离问题而导致故障的几率约占总故障的15%以上。
七. 结束语
附表1、2总结了晶闸管和IGBT部分性能的对比：
附表1 SCR（晶闸管）与IGBT的部分性能对比
IGBT斩波受器件容量和晶体管特性的限制，在较大功率（500KW以上）的内馈调速应用上还存在问题，其中主要表现在承受过流、过压的可靠性方面。不能以IGBT的全控优点，掩盖其存在的不足，科学实践需要科学的态度。
在大功率开关应用的可靠性方面，晶闸管要优于晶体管，这是半导体器件原理所决定的。目前，新型晶闸管的发展速度非常之快，目的是解决普通晶闸管存在无法门极关断的缺点，国外（目前仅有ABB公司）最新推出的TGO与MOSFET的组合——集成门极换向晶闸管IGCT是较为理想的晶闸管器件，最为适合大功率斩波应用。
IGCT和IGBT目前都存在依赖进口和价格昂贵的问题，受其影响，给我国的斩波内馈调速应用造成不小的困难，维修费用高，器件参数把控难，供货时间长等因素都应该在产品化时慎重考虑。
尽管普通晶闸管存在关断困难的缺点，如果能够加以解决，仍然是近期大功率斩波应用的主导方向，理由是普通晶闸管的其它优点是晶体管无法替代的。
本文关键字：如何 元器件的选用，元器件介绍 - 元器件的选用
